硒化鋅和碲化鋅薄層的應力研究

dc.contributor	陸健榮	zh_TW
dc.contributor.author	李睿益	zh_TW
dc.date.accessioned	2019-09-05T02:06:45Z
dc.date.available	2004-7-31
dc.date.available	2019-09-05T02:06:45Z
dc.date.issued	2004
dc.description.abstract	本論文利用電場調制反射光譜(ER)來研究ZnSe薄膜與ZnTe薄膜受應力之下輕電洞能帶與重電洞能帶分裂的情形。樣品是由分子束磊晶法（MBE）長成的ZnSe/GaAs和ZnTe/GaAs薄膜，以及ZnTe/ZnSe/GaAs量子點系統。首先透過計算可以得到薄膜在受完全錯位應力以及熱應力下輕、重電洞的能階分裂大小。再由實驗譜圖分析一階微分或三階微分擬合譜圖，並將各溫度下輕、重電洞能隙以擬合程式找出。探討薄膜厚度和溫度對應力釋放的關係。	zh_TW
dc.description.sponsorship	物理學系	zh_TW
dc.identifier	G0069141018
dc.identifier.uri	http://etds.lib.ntnu.edu.tw/cgi-bin/gs32/gsweb.cgi?o=dstdcdr&s=id=%22G0069141018%22.&%22.id.&
dc.identifier.uri	http://rportal.lib.ntnu.edu.tw:80/handle/20.500.12235/102377
dc.language	中文
dc.subject	硒化鋅	zh_TW
dc.subject	碲化鋅	zh_TW
dc.subject	應力	zh_TW
dc.subject	激子	zh_TW
dc.subject	薄膜干涉	zh_TW
dc.subject	電場調制	zh_TW
dc.subject	ZnSe	en_US
dc.subject	ZnTe	en_US
dc.subject	strain	en_US
dc.subject	exciton	en_US
dc.subject	electroreflectance	en_US
dc.title	硒化鋅和碲化鋅薄層的應力研究	zh_TW