硒化鋅和碲化鋅薄層的應力研究
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Date
2004
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Abstract
本論文利用電場調制反射光譜(ER)來研究ZnSe薄膜與ZnTe薄膜受應力之下輕電洞能帶與重電洞能帶分裂的情形。樣品是由分子束磊晶法（MBE）長成的ZnSe/GaAs和ZnTe/GaAs薄膜，以及ZnTe/ZnSe/GaAs量子點系統。首先透過計算可以得到薄膜在受完全錯位應力以及熱應力下輕、重電洞的能階分裂大小。再由實驗譜圖分析一階微分或三階微分擬合譜圖，並將各溫度下輕、重電洞能隙以擬合程式找出。探討薄膜厚度和溫度對應力釋放的關係。
Description
Keywords
硒化鋅, 碲化鋅, 應力, 激子, 薄膜干涉, 電場調制, ZnSe, ZnTe, strain, exciton, electroreflectance