Browsing by Author "謝敏男"
Now showing 1 - 1 of 1
- Results Per Page
- Sort Options
Item 熱處理對氧化銦錫薄膜特性之研究(2012) 謝敏男藉由射頻磁控濺射(RF Magnetron sputter)技術在P型矽上鍍上N型的ITO薄膜,沉積之後在不同的溫度及厚度條件下進行退火,並觀察薄膜結構與光電特性之變化。透過XRD來觀察薄膜的晶態結構,發現薄膜呈現非晶態結構,在熱退火後薄膜會朝向(222)的方向形成多晶成長的晶格排列。從光電特性中發現,所有ITO薄膜在波長400~900 nm下擁有將近90% 的透光率。能帶間隙大約介於3.47~3.73 eV,實驗顯示增加退火溫度,能帶間隙也會跟著增加,但是薄膜厚度增加,能帶間隙反而會跟著減少。在導電特性上,在100 nm的ITO薄膜於600℃以及純氮氣的退火環境下,可以得到最小片電組(24.79Ω/□)以及電阻率(2.48x10-4 Ωcm)。從電容-電壓特性曲線所量測到的電容大小,我們可以發現到,當ITO薄膜厚度為100 nm且600℃的退火條件下,可以得到較大的電容量(約為387.5 pF)以及較大的儲存電量。因此ITO薄膜擁有良好的特質並且適合做為太陽能電池方面的應用。