電極與 NbSe2 機械振盪器的交互作用

Abstract

本文將介紹如何使用電極控制機械振盪器 (mechanical oscillator)，並且介紹機械振盪器的製程。我們是使用一種過渡金屬二硫族的化合物 (transition metal dichalcogenides , TMDs) 二硒化鈮 (Niobium Diselenide , NbSe2) 作為機械振盪器的主體，我們可以利用二維的 NbSe_2 來提供機械振盪器所需要的鼓膜性質，並觀察電壓源對於薄膜的改變與控制，於實驗上我們可以藉由交流電頻率的改變找出薄膜的本徵頻率，也可以使用直流電壓源的改變控制本徵頻率展生變化。 晶片製程方面則由Design CAD設計，並利用電子束微影與熱蒸鍍製作電路與光阻空腔，機械振盪器所需之晶片電路，在材料方面經由聚二甲基矽氧烷 (Polydimethylsiloxane , PDMS) 作為媒介，使用機械剝離法剝離出二維的 NbSe2，並用乾式轉印法將 NbSe2轉印到晶片上。並透過電性量測來得知樣品在電晶體上保持良好的特性，最後使用共軛焦雷射掃描顯微鏡與向量網路分析儀觀測其 鼓膜振盪之本徵頻率與共振頻率，並用Comsol做為理論模擬，印證實驗結果。