電機工程學系

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歷史沿革

本系成立宗旨在整合電子、電機、資訊、控制等多學門之工程技術,以培養跨領域具系統整合能力之電機電子科技人才為目標,同時配合產業界需求、支援國家重點科技發展,以「系統晶片」、「多媒體與通訊」、與「智慧型控制與機器人」等三大領域為核心發展方向,期望藉由學術創新引領產業發展,全力培養能直接投入電機電子產業之高級技術人才,厚植本國科技產業之競爭實力。

本系肇始於民國92年籌設之「應用電子科技研究所」,經一年籌劃,於民國93年8月正式成立,開始招收碩士班研究生,以培養具備理論、實務能力之高階電機電子科技人才為目標。民國96年8月「應用電子科技學系」成立,招收學士班學生,同時間,系所合一為「應用電子科技學系」。民國103年8月更名為「電機工程學系」,民國107年電機工程學系博士班成立,完備從大學部到博士班之學制規模,進一步擴展與深化本系的教學與研究能量。

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    5.3 GHz互補式金屬氧化物半導體功率放大器與線性化技術研究
    (2017) 林佳龍; Lin, Chia-Lung
    本論文研製之三個5.3 GHz功率放大器分別利用變壓器功率合成技術、電流合成變壓器技術與內建線性器技術來設計,並實現於標準0.18-μm 1P6M互補式金屬氧化物半導體製程(Standard 0.18-μm 1P6M CMOS process)中。本論文之功率放大器量測包含了S參數與連續波訊號。 第一個電路為利用變壓器功率合成技術之5.3 GHz功率放大器,透過變壓器的阻抗轉換與功率結合之能力,達成輸入共軛匹配、輸出功率阻抗匹配與高輸出功率。當功率放大器的Vg1為0.85 V時,其功率增益(Power gain)約為18.19 dB,飽和輸出功率Psat約為26.10 dBm,1-dB增益壓縮點之輸出功率OP1dB約為21.20 dBm,靜態電流約為294.60 mA,最大功率附加效率Peak PAE約為21.30 %,整體晶片佈局面積為1.17 mm × 0.64 mm。 第二個電路為利用電流合成變壓器技術之5.3 GHz功率放大器,以第一個電路為基礎,為了得到更高的輸出功率,我們透過電流合成變壓器技術將其輸出端做功率結合,並達到輸出功率提升近3 dBm的效果。當功率放大器的Vg1為0.85 V時,其功率增益(Power gain)約為16.43 dB,飽和輸出功率Psat分別約為29.43 dBm,1-dB增益壓縮點之輸出功率OP1dB約為25.44 dBm,靜態電流約為610.50 mA,最大功率附加效率Peak PAE約為23.06 %,整體晶片佈局面積為1.09 mm × 1.16 mm。 第三個電路為具內建線性器之5.3 GHz功率放大器,以第二個電路為基礎,在其輸入端掛接一疊接組態線性器,並透過改變線性器之控制電壓Vctrl而達到控制功率放大器之線性度改善的程度。當功率放大器的Vg1為0.85 V且線性器開啟時,功率增益約14.04 dB,飽和輸出功率Psat約為28.66 dBm,1-dB增益壓縮點之輸出功率OP1dB約為25.11 dBm,最大功率附加效率Peak PAE約為21.00 %,三階交互調變失真IMD3在輸出功率約為19.45 dBm以前皆可抑制在-40 dBc左右,整體晶片佈局面積為1.09 mm × 1.16 mm。