電機工程學系

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歷史沿革

本系成立宗旨在整合電子、電機、資訊、控制等多學門之工程技術,以培養跨領域具系統整合能力之電機電子科技人才為目標,同時配合產業界需求、支援國家重點科技發展,以「系統晶片」、「多媒體與通訊」、與「智慧型控制與機器人」等三大領域為核心發展方向,期望藉由學術創新引領產業發展,全力培養能直接投入電機電子產業之高級技術人才,厚植本國科技產業之競爭實力。

本系肇始於民國92年籌設之「應用電子科技研究所」,經一年籌劃,於民國93年8月正式成立,開始招收碩士班研究生,以培養具備理論、實務能力之高階電機電子科技人才為目標。民國96年8月「應用電子科技學系」成立,招收學士班學生,同時間,系所合一為「應用電子科技學系」。民國103年8月更名為「電機工程學系」,民國107年電機工程學系博士班成立,完備從大學部到博士班之學制規模,進一步擴展與深化本系的教學與研究能量。

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    24 GHz與38 GHz功率放大器及線性化技術研究
    (2019) 洪傳奇; Hung, Chuan-Chi
    第一顆電路為利用直接匹配技術之38 GHz二級功率放大器,透過傳輸線匹配網路達成輸出功率阻抗匹配、輸入共軛匹配之效果。當操作頻率為38 GHz且功率放大器的VG與VDD為-0.5 V與4 V時,其功率增益(Power gain)約為15.63 dB,飽和輸出功率Psat約為20.31 dBm,1-dB增益壓縮點之輸出功率(OP1dB)約為18.9 dBm,靜態電流約為81.5 mA,最大功率附加效率Peak PAE約為23.8 %,整體晶片佈局面積為1.2 mm × 0.8 mm。 第二顆電路為內具線性器之38 GHz二級功率放大器,線性器架構採用共源極組態。當操作頻率為38 GHz且VG為-0.5 V時,在線性器開啟狀態下(Vctrl = -0.2 V),量測小訊號增益(S21)約為12.61 dB,輸入輸出反射損耗(S11、S22)分別為-7.81 dB與-13.23 dB,三階交互調變失真IMD3在-40 dBc的輸出功率約為14.12 dBm,整體晶片佈局面積為1.2 mm × 0.8 mm。 第三顆電路為內具線性器之38 GHz二級功率放大器,線性器架構採用共源極串級電阻組態。當操作頻率為38 GHz且VG為-0.5 V時,在線性器開啟狀態下(Vctrl = -0.3 V),量測小訊號增益(S21)約為12.43 dB,輸入輸出反射損耗(S11、S22)分別為-9.3 dB與-12.71 dB,三階交互調變失真IMD3在-40 dBc的輸出功率約為13.55 dBm,整體晶片佈局面積為1.2 mm × 0.8 mm。 第四顆電路為內具線性器之38 GHz二級功率放大器,線性器架構採用疊接組態。當操作頻率為38 GHz且VG為-0.5 V時,在線性器開啟狀態下(Vctrl = -0.4 V),量測小訊號增益(S21)約為11.56 dB,輸入輸出反射損耗(S11、S22)分別為-9.28 dB與-12.3 dB,三階交互調變失真IMD3在-40 dBc的輸出功率約為14.42 dBm,整體晶片佈局面積為1.2 mm × 0.8 mm。 第五顆電路為利用變壓器功率結合技術之38 GHz功率放大器,透過變壓器的功率結合與阻抗轉換特性來達成輸入共軛匹配與輸出功率匹配。當操作頻率為38 GHz且VG1為0.6 V時,功率增益(Power gain)約為15.07 dB,飽和輸出功率Psat約為19.98 dBm,1-dB增益壓縮點之輸出功率(OP1dB)約為15.05 dBm,靜態電流約為114 mA,最大功率附加效率Peak PAE約為29.42 %,整體晶片佈局面積為0.47 mm × 0.57 mm。 第六顆電路為利用變壓器電流結合技術之24 GHz功率放大器,採用二級功率放大器的方式以提升增益,接著使用變壓器電流結合技術來提高輸出功率。當操作頻率為24 GHz且VG1為1 V時,功率增益(Power gain)約為14.07 dB,飽和輸出功率Psat約為23.9 dBm,1-dB增益壓縮點之輸出功率(OP1dB)約為19.07 dBm,靜態電流約為354.06 mA,最大功率附加效率Peak PAE約為13 %,整體晶片佈局面積為0.99 mm × 0.91 mm。