電機工程學系

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歷史沿革

本系成立宗旨在整合電子、電機、資訊、控制等多學門之工程技術,以培養跨領域具系統整合能力之電機電子科技人才為目標,同時配合產業界需求、支援國家重點科技發展,以「系統晶片」、「多媒體與通訊」、與「智慧型控制與機器人」等三大領域為核心發展方向,期望藉由學術創新引領產業發展,全力培養能直接投入電機電子產業之高級技術人才,厚植本國科技產業之競爭實力。

本系肇始於民國92年籌設之「應用電子科技研究所」,經一年籌劃,於民國93年8月正式成立,開始招收碩士班研究生,以培養具備理論、實務能力之高階電機電子科技人才為目標。民國96年8月「應用電子科技學系」成立,招收學士班學生,同時間,系所合一為「應用電子科技學系」。民國103年8月更名為「電機工程學系」,民國107年電機工程學系博士班成立,完備從大學部到博士班之學制規模,進一步擴展與深化本系的教學與研究能量。

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    28GHz砷化鎵增強型pHEMT功率放大器與PIN二極體切換器設計
    (2021) 謝雲岳; Hsieh, Yun-Yueh
    第一顆電路為內具線性器之28 GHz二級功率放大器,透過傳輸線匹配網路達成輸出功率阻抗匹配、輸入共軛匹配之效果。當VG = 0.5 V時,且線性器為關閉狀態(Vctrl = 0 V)時,在頻率為28 GHz下,其功率增益(Power gain)約為21.16 dB,飽和輸出功率Psat約為24.63 dBm,1-dB增益壓縮點之輸出功率(OP1dB)約為24.01 dBm,最大功率附加效率Peak PAE約為36.41 %,而當線性器為開啟狀態((Vctrl1 = 0.35 V、Vctrl2 = 0.15 V)且頻率為28 GHz時,IMD3在-40 dBc時的輸出功率為16 dBm,整體晶片佈局面積為1 mm × 2 mm。第二顆電路為28 GHz PIN二極體切換器,採用四分之一波長線的SPDT架構。當操作頻率為28 GHz且VON為-4 V、VOFF為1.3 V時, 插入損耗約為2.15 dB,輸入輸出反射損耗(S11、S22)分別為14.07 dB與9.92 dB,0.1-dB增益壓縮點之輸入功率(IP0.1dB)約為17 dBm,整體晶片佈局面積為1 mm × 1 mm。