電機工程學系

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歷史沿革

本系成立宗旨在整合電子、電機、資訊、控制等多學門之工程技術,以培養跨領域具系統整合能力之電機電子科技人才為目標,同時配合產業界需求、支援國家重點科技發展,以「系統晶片」、「多媒體與通訊」、與「智慧型控制與機器人」等三大領域為核心發展方向,期望藉由學術創新引領產業發展,全力培養能直接投入電機電子產業之高級技術人才,厚植本國科技產業之競爭實力。

本系肇始於民國92年籌設之「應用電子科技研究所」,經一年籌劃,於民國93年8月正式成立,開始招收碩士班研究生,以培養具備理論、實務能力之高階電機電子科技人才為目標。民國96年8月「應用電子科技學系」成立,招收學士班學生,同時間,系所合一為「應用電子科技學系」。民國103年8月更名為「電機工程學系」,民國107年電機工程學系博士班成立,完備從大學部到博士班之學制規模,進一步擴展與深化本系的教學與研究能量。

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    38 GHz 單邊帶混頻器與可變增益放大器設計
    (2021) 鄭伊佐; Cheng, Yi-Tso
    隨著5G行動通訊發展,在相位陣列架構的射頻收發器中,混頻器與可變增益放大器為重要元件。而CMOS具有高整合度、低功率消耗、及低成本的優勢,因此本論文使用標準 65nm CMOS 1P9M製程,實現38 GHz單邊帶混頻器與可變增益放大器。第一個電路為38 GHz單邊帶混頻器,藉由準確的饋入兩顆混頻器正交訊號,將兩個相差180°的輸出訊號合成後,達到寬頻鏡像抑制之功能。當電晶體偏壓為0.4 V,頻帶為31 ~ 40 GHz,增益範圍為-19.8 ± 0.5 dB,鏡像抑制在40 dB的範圍為35~ 40 GHz,整體晶片佈局面積為0.72 mm × 0.8 mm。第二個電路為38 GHz低相位變化之可變增益放大器,採用兩級的電流控制架構,透過數位控制與相位補償技術來維持低相位變化,並加入基極偏壓來提升可變增益範圍。當供應電壓Vdd為1.2 V,在38 GHz有最高增益14.84 dB,可變增益範圍則有14.76 dB,相位誤差為4.62°,整體功率消耗約為20.4 mW,整體晶片佈局面積為0.46 mm × 0.68 mm。