電機工程學系

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歷史沿革

本系成立宗旨在整合電子、電機、資訊、控制等多學門之工程技術,以培養跨領域具系統整合能力之電機電子科技人才為目標,同時配合產業界需求、支援國家重點科技發展,以「系統晶片」、「多媒體與通訊」、與「智慧型控制與機器人」等三大領域為核心發展方向,期望藉由學術創新引領產業發展,全力培養能直接投入電機電子產業之高級技術人才,厚植本國科技產業之競爭實力。

本系肇始於民國92年籌設之「應用電子科技研究所」,經一年籌劃,於民國93年8月正式成立,開始招收碩士班研究生,以培養具備理論、實務能力之高階電機電子科技人才為目標。民國96年8月「應用電子科技學系」成立,招收學士班學生,同時間,系所合一為「應用電子科技學系」。民國103年8月更名為「電機工程學系」,民國107年電機工程學系博士班成立,完備從大學部到博士班之學制規模,進一步擴展與深化本系的教學與研究能量。

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    C頻帶互補式金屬氧化物半導體功率放大器與線性化技術研究
    (2017) 鄭怡建; Cheng, Yi-Chien
    第一顆電路為使用變壓器功率合成技術之C頻段功率放大器,以變壓器功率合成技術完成放大器功率結合,並藉由阻抗轉換特性達成輸出與輸入之阻抗匹配。當操作頻率為5.3 GHz且VG1為0.85 V時,功率增益約16.48 dB,飽和輸出功率(Psat)約為27.69 dBm,1-dB增益壓縮點之輸出功率(OP1dB)約為22.53 dBm,最大功率附加效率(PAE)約為28.34 %。整體晶片佈局面積為1.17 mm × 0.655 mm。 第二顆電路為具內建線性器之C頻段功率放大器,線性器架構採用共閘極串級二極體組態。當操作頻率為5.3 GHz,且VG1為1 V線性器開啟時,功率增益約14.25 dB,飽和輸出功率(Psat)約為27.06 dBm,1-dB增益壓縮點之輸出功率(OP1dB)從22.48 dBm提升至26.24 dBm,最大功率附加效率(PAE)約為23.94 %,三階交互調變失真IMD3在輸出功率約為18 dBm以前皆可抑制在-40 dBc左右。整體晶片佈局面積為1.14 mm × 0.64 mm。 第三顆電路為具內建線性器之C頻段功率放大器,線性器架構採用疊階組態。當操作頻率為5.3 GHz ,且VG1為0.85 V線性器開啟時,功率增益約11.98 dB,飽和輸出功率(Psat)約為26.84 dBm,1-dB增益壓縮點之輸出功率(OP1dB)從 22.69 dBm提升至24.7 dBm,最大功率附加效率(PAE)約為22.22 %,而三階交互調變失真IMD3在輸出功率約為18.5 dBm以前皆可抑制在-40 dBc左右。整體晶片佈局面積為1.14 mm × 0.64 mm。 第四顆電路為具內建線性器之C頻段功率放大器,線性器架構採用共閘極串級電阻組態。當操作頻率為5.3 GHz ,且VG1為0.85 V線性器開啟時,功率增益約13.1 dB,飽和輸出功率(Psat)約為26.94 dBm,1-dB增益壓縮點之輸出功率(OP1dB)從20.95 dBm提升至23.81 dBm,最大功率附加效率(PAE)約為25.05 %,而三階交互調變失真IMD3在輸出功率約為18.5 dBm以前皆可抑制在-40 dBc左右。整體晶片佈局面積為1.14 mm × 0.64 mm。