電機工程學系

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歷史沿革

本系成立宗旨在整合電子、電機、資訊、控制等多學門之工程技術,以培養跨領域具系統整合能力之電機電子科技人才為目標,同時配合產業界需求、支援國家重點科技發展,以「系統晶片」、「多媒體與通訊」、與「智慧型控制與機器人」等三大領域為核心發展方向,期望藉由學術創新引領產業發展,全力培養能直接投入電機電子產業之高級技術人才,厚植本國科技產業之競爭實力。

本系肇始於民國92年籌設之「應用電子科技研究所」,經一年籌劃,於民國93年8月正式成立,開始招收碩士班研究生,以培養具備理論、實務能力之高階電機電子科技人才為目標。民國96年8月「應用電子科技學系」成立,招收學士班學生,同時間,系所合一為「應用電子科技學系」。民國103年8月更名為「電機工程學系」,民國107年電機工程學系博士班成立,完備從大學部到博士班之學制規模,進一步擴展與深化本系的教學與研究能量。

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    28 GHz I/Q調變器與單邊帶混頻器設計
    (2022) 魏庚生; Wei, Geng-Sheng
    隨著第五代行動通訊技術的發展,毫米波升降頻收發機扮演著重要的角色,其中發射機需將基頻訊號升頻至毫米波頻段後,再透過相位陣列(Phased Array)天線進行無線傳輸,因此調變器與混頻器成為不可或缺的元件。近年來得益於互補式金氧半導體製程(CMOS)的進步,CMOS具有低功率消耗、低成本及高整合度的優勢,且已經可以與大部分的射頻電路整合在一塊。本論文將使用TSMC 90-nm CMOS RF製程與TSMC 65-nm CMOS RF製程,設計實現28 GHz I/Q調變器與單邊帶混頻器。第一個電路為28 GHz I/Q調變器,以I/Q調變訊號的方式饋入兩顆混頻器來消除鏡像訊號,並透過加入匹配來達成寬頻的鏡像拒斥比。量測與模擬之特性貼近。當電晶體偏壓為0.35 V,LO驅動功率為3 dBm時,頻帶為25~32 GHz,增益範圍為-9.4 ± 0.5 dB,鏡像拒斥比則有-30 dBc,整體晶片佈局面積為730 μm × 700 μm。第二個電路為28 GHz單邊帶混頻器,藉由給予兩顆混頻器正交訊號,將相位差180°的輸出訊號合成後,會達到鏡像抑制之功能。由於LO端匹配電容對於製程變異相當敏感,因此最後實現的單邊帶混頻器有頻飄的狀況。當電晶體偏壓為0.35 V,LO驅動功率為3 dBm時,頻帶為23~28 GHz,增益範圍為-22.5 ± 0.5 dB,鏡像拒斥比則有-30 dBc,整體晶片佈局面積為755 μm × 730 μm。