電機工程學系

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歷史沿革

本系成立宗旨在整合電子、電機、資訊、控制等多學門之工程技術,以培養跨領域具系統整合能力之電機電子科技人才為目標,同時配合產業界需求、支援國家重點科技發展,以「系統晶片」、「多媒體與通訊」、與「智慧型控制與機器人」等三大領域為核心發展方向,期望藉由學術創新引領產業發展,全力培養能直接投入電機電子產業之高級技術人才,厚植本國科技產業之競爭實力。

本系肇始於民國92年籌設之「應用電子科技研究所」,經一年籌劃,於民國93年8月正式成立,開始招收碩士班研究生,以培養具備理論、實務能力之高階電機電子科技人才為目標。民國96年8月「應用電子科技學系」成立,招收學士班學生,同時間,系所合一為「應用電子科技學系」。民國103年8月更名為「電機工程學系」,民國107年電機工程學系博士班成立,完備從大學部到博士班之學制規模,進一步擴展與深化本系的教學與研究能量。

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    X頻帶接收器前端電路與E頻帶低雜訊放大器設計與實現
    (2014) 張瑞安; Ruei-An Chang
    本論文主要針對X頻帶衛星通訊與E頻帶無線通訊之訊射頻前端電路的設計與實現,包含低雜訊放大器與混頻器,晶片製作透過國家晶片中心提供的標準TSMC CMOS 90 nm與180 nm製程,內容分為三個部分,第一個部分為介紹X頻帶與E頻帶的研究背景,第二部分為所有電路設計、模擬與量測,第三部分為結論。 本論文將介紹三個電路,依序為X頻帶低雜訊放大器、E頻帶低雜訊放大器、X頻帶混頻器,分別在第二章、第三章與第四章。第二章實現了X頻帶低雜訊放大器,使用兩級共源極組態串接的方式,並採用變壓器匹配的方式能在低功率消耗、低雜訊與小面積下維持不錯的增益表現,量測在11 GHz下有小訊號增益13.4 dB,雜訊指數3.41 dB。在供應電壓1.0 V下整體功率消耗為4.8mW。晶片面積為0.44 〖mm〗^2。 第三章實現了E頻帶低雜訊放大器,採用三級串接組態的架構,第一級為共源極組態,第二級與第三級都是採用疊接組態,並且延續前一章節所使用的變壓器匹配方式減少晶片使用的面積,量測結果最大訊號增益在67 GHz有21 dB,雜訊指數在67.5 GHz為8.8 dB,在共源極組態與疊接組態供應電壓分別為1.2 V與2.4 V下的整體功率消耗為15.84 mW。晶片面積為0.338 〖mm〗^2。 第四章實現了X頻帶環形混頻器,採用弱反轉區的偏壓方式,混頻器可以操作在低LO功率以及低直流功率消耗,並在輸出IF端使用轉阻緩衝放大器提供足夠的轉換增益,量測轉換增益為0.5 ± 1.5 dB在9 ~ 15 GHz。LO驅動功率為-12 ~ -5 dBm,整體供應電壓為1.0 V,功率消耗為2 mW。晶片面積為0.295 〖mm〗^2。