機電工程學系

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系所沿革

為迎合產業機電整合人才之需求,本校於民國 91年成立機電科技研究所,招收碩士班學生;隨後並於民國93年設立大學部,系所整合為「機電科技學系」,更於101學年度起招收博士班學生。103學年度本系更名為「機電工程學系」,本系所之發展方向與目標,係配合國家政策、產業需求與技術發展趨勢而制定。本系規劃專業領域包含「精密機械」及「光機電整合」 為兩大核心領域, 使學生不但學有專精,並具跨領域的知識,期能強化學生之應變能力,以適應多元變化的明日社會。

教學目標主要希望教導學生機電工程相關之基本原理與實務應用的專業知能,並訓練學生如何運用工具進行設計、執行、實作與驗證各項實驗,以培養解決機電工程上各種問題所需要的獨立思考與創新能力。

基於建立系統性的機電工程整合教學與研究目標,本系學士班及研究所之教育目標如下:

一、學士班

1.培育具備理論與實作能力之機電工程人才。

2.培育符合產業需求或教育專業之機電工程人才。

3.培育具備人文素養、專業倫理及終身學習能力之機電工程人才。

二、研究所

1.培育具備機電工程整合實務能力之專業工程師或研發人才。

2.培育機電工程相關研究創新與產業應用之專業工程師或研發人才。

3.培育具備人文素養、專業倫理及終身學習能力之專業工程師或研發人才。

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    增進LED光萃取效率之GaN膜粗化蝕刻技術開發
    (2007) 彭榆鈞; Peng Yu-Jun
    氮化鎵發光二極體(GaN LED)光萃取效率不佳,是其一直存在的問題,而對於提升光萃取效率,通常最簡易也最為有效的技術,莫過於粗化技術。GaN中之光子,因GaN的高折射係數( n=2.5 ),依施乃耳定律,臨界角僅有23.6°,光子也只能在此臨界角所形成的光逃脫角錐內,才能順利的穿過邊界,達到空氣之中。藉由粗化技術,可破壞臨界角的限制,光子因此不易產生全反射且易於脫離原本介質,進而提升其光萃取效率。GaN主要有兩種極性方向-鎵面與氮面,在鎵面上非常穩定且不易蝕刻,故可藉由雷射掀離法將薄膜掀離,並轉換到另一基材上,經由此技術後,薄膜較不穩定的氮面便會翻轉向上,藉此便可輕易的藉由溼式蝕刻技術,製作出大面積的六角錐柱。 本研究主要目的,是利用溼式蝕刻技術,與添加劑YR、YC、YP、T-X與Y-A的使用,藉此改變氮面上的表面能,進而改變錐柱的形態與控制錐柱的角度。本研究也已成功的藉由YR添加劑的使用,在YR與50 wt.%.的KOH溶液為10 ml : 1 liter比例上,將原本六角錐柱,改變成圓錐之形態。角度方面,也可以藉各種添加劑比例上的配合,將角錐控制在65-120°的範圍內。本研究也將此新式的蝕刻技術與一般的粗化技術相比較,在350 mA的驅動下,105°的圓錐形態,比一般的六角錐粗化,其光輸出功率高出了7 %左右,此原因即為此種新式的蝕刻技術所製造之圓錐,可使側向的光子路徑皆為法線方向,因此提升其光萃取效率。以上的結果顯示出,在表面形態上,本研究所提出之蝕刻技術,以優於一般傳統的六角錐柱之蝕刻。
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    High etching rate of GaN films by KrF excimer laser
    (Elsevier, 2001-05-22) Chu, Chen-Fu; Lee, C. K.; Yu, C. C.; Wang, Y. K.; Tasi, J. Y.; Yang, Chii-Rong; Wang, S. C.
    A study of laser processing of gallium nitride (GaN) material is reported. A pulsed KrF excimer laser at 248 nm with 20-nsec pulse width and 1 Hz repetition rate is used to etch the GaN film. We establish the material etching parameters under different environmental conditions. By changing the pulsed energy at constant pulse numbers, ablation of GaN surface was observed at threshold laser fluence about 0.3 J cm−2. Laser etching increase with reducing environment pressure. At 1.0 J cm−2 laser fluence, the etching rate is about 35 nm per pulse at atmosphere pressure and increases to 60 nm per pulse at low pressure. The etched depth also increases with increasing laser fluence. The surface morphology of the etched surface was also investigated.