機電工程學系

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系所沿革

為迎合產業機電整合人才之需求,本校於民國 91年成立機電科技研究所,招收碩士班學生;隨後並於民國93年設立大學部,系所整合為「機電科技學系」,更於101學年度起招收博士班學生。103學年度本系更名為「機電工程學系」,本系所之發展方向與目標,係配合國家政策、產業需求與技術發展趨勢而制定。本系規劃專業領域包含「精密機械」及「光機電整合」 為兩大核心領域, 使學生不但學有專精,並具跨領域的知識,期能強化學生之應變能力,以適應多元變化的明日社會。

教學目標主要希望教導學生機電工程相關之基本原理與實務應用的專業知能,並訓練學生如何運用工具進行設計、執行、實作與驗證各項實驗,以培養解決機電工程上各種問題所需要的獨立思考與創新能力。

基於建立系統性的機電工程整合教學與研究目標,本系學士班及研究所之教育目標如下:

一、學士班

1.培育具備理論與實作能力之機電工程人才。

2.培育符合產業需求或教育專業之機電工程人才。

3.培育具備人文素養、專業倫理及終身學習能力之機電工程人才。

二、研究所

1.培育具備機電工程整合實務能力之專業工程師或研發人才。

2.培育機電工程相關研究創新與產業應用之專業工程師或研發人才。

3.培育具備人文素養、專業倫理及終身學習能力之專業工程師或研發人才。

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    具應力梯度接觸蝕刻停止層與源、汲極晶格不匹配對N型奈米元件的影響
    (2016) 郭彥廷; Kuo, Yen-Ting
      本研究旨在分析具多重應力源結構之N型奈米電晶體,其元件結構尺寸對於元件應力分佈之性能及表現。該電晶體結構之多重應力源包括:1、晶格不匹配之源/汲極區域,以及2、在厚度方向上具應力梯度之接觸蝕刻停止層(CESL)。藉由本研究所提出之創新模擬法所得之分析結果證實,由具應力梯度之CESL結合矽碳源/汲極晶格不匹配引致應力源之先進應變工程技術,能夠精準預測真實電晶體通道區域之應力與應變分佈情形。為了探討CESL薄膜應力梯度對本研究之影響,本研究施予1.0 GPa拉伸內應力,在模擬分析時固定其厚度,並分別以多次沈積方式諸如1、2、4、8與12次,以逐層堆疊的方式進行數值收斂性分析;結果得知沈積次數愈多者將愈接近實際元件之應力分佈,且元件通道應力分佈將收斂於一定值。採用上述模擬方式對具 1.0 GPa t-CESL及源/汲極區域鑲埋1.65 %碳莫耳分率之矽碳合金之多重應力源結構,進行電晶體通道寬度調變模擬分析,其結果指出,多重應力源結構改善電晶體之效能將優於單一應力源結構,而隨著通道寬度越寬,通道應力趨於飽和,並且經由一階壓阻係數關係式,得知電晶體性能提升比例。   此外,考慮多重應力源結構對於鍺基板電晶體的性能表現,並藉由本論文使用之創新模擬方法,將具應力梯度之t-CESL結合鍺矽源/汲極晶格不匹配引致應力之多重應力源結構進行模擬分析。結果指出,越高的矽莫耳分率之鍺矽合金,對通道應力影響越大,並且隨著通道寬度的延伸,應力趨於飽和,最後由一階壓阻係數關係式,獲得鍺基板電晶體性能提升比例。