機電工程學系

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系所沿革

為迎合產業機電整合人才之需求,本校於民國 91年成立機電科技研究所,招收碩士班學生;隨後並於民國93年設立大學部,系所整合為「機電科技學系」,更於101學年度起招收博士班學生。103學年度本系更名為「機電工程學系」,本系所之發展方向與目標,係配合國家政策、產業需求與技術發展趨勢而制定。本系規劃專業領域包含「精密機械」及「光機電整合」 為兩大核心領域, 使學生不但學有專精,並具跨領域的知識,期能強化學生之應變能力,以適應多元變化的明日社會。

教學目標主要希望教導學生機電工程相關之基本原理與實務應用的專業知能,並訓練學生如何運用工具進行設計、執行、實作與驗證各項實驗,以培養解決機電工程上各種問題所需要的獨立思考與創新能力。

基於建立系統性的機電工程整合教學與研究目標,本系學士班及研究所之教育目標如下:

一、學士班

1.培育具備理論與實作能力之機電工程人才。

2.培育符合產業需求或教育專業之機電工程人才。

3.培育具備人文素養、專業倫理及終身學習能力之機電工程人才。

二、研究所

1.培育具備機電工程整合實務能力之專業工程師或研發人才。

2.培育機電工程相關研究創新與產業應用之專業工程師或研發人才。

3.培育具備人文素養、專業倫理及終身學習能力之專業工程師或研發人才。

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    具有深度 STI 的NMOSFET 之應變工程模擬
    (2013) 鄧榮皓; Deng Rong Hao
    金氧半場效電晶體(MOSFET)節點技術不斷縮小至22奈米以下,因此在半導體應變工程中,接觸蝕刻終止層(CESL)與淺溝槽隔離(STI)被視為重要技術,兩種應力源可提高有效地電晶體的載子遷移率。而利用有限元素模擬的方法下,本研究探討在n型MOSFET中,STI幾何結構對於電晶體性能的影響。在上述條件下主要是利用不同製程方法讓矽通道的產生通道應力轉換以及CESL的內應力的影響進行分析。由模擬結果得知,具有深度的STI結構較無深度的STI更有用處,因為應力源所造成的Si通道的應力分佈是較高的。此外,藉由壓阻效應,可提高電晶體的載子遷移率的性能提高,由於上述的壓阻效應,可做出結論整合STI和CESL應力源可以有效的提高中10%〜20%載子遷移率。最後,對於電晶體應力分佈影響最重要的四個因子,閘極寬度、源∕汲極的長度、STI的長度、STI的深度。經過變異數分析結果後,源∕汲極長度與STI的深度這兩個因子對於載子遷移率增益的影響程度最為顯著。