機電工程學系

Permanent URI for this communityhttp://rportal.lib.ntnu.edu.tw/handle/20.500.12235/84

系所沿革

為迎合產業機電整合人才之需求,本校於民國 91年成立機電科技研究所,招收碩士班學生;隨後並於民國93年設立大學部,系所整合為「機電科技學系」,更於101學年度起招收博士班學生。103學年度本系更名為「機電工程學系」,本系所之發展方向與目標,係配合國家政策、產業需求與技術發展趨勢而制定。本系規劃專業領域包含「精密機械」及「光機電整合」 為兩大核心領域, 使學生不但學有專精,並具跨領域的知識,期能強化學生之應變能力,以適應多元變化的明日社會。

教學目標主要希望教導學生機電工程相關之基本原理與實務應用的專業知能,並訓練學生如何運用工具進行設計、執行、實作與驗證各項實驗,以培養解決機電工程上各種問題所需要的獨立思考與創新能力。

基於建立系統性的機電工程整合教學與研究目標,本系學士班及研究所之教育目標如下:

一、學士班

1.培育具備理論與實作能力之機電工程人才。

2.培育符合產業需求或教育專業之機電工程人才。

3.培育具備人文素養、專業倫理及終身學習能力之機電工程人才。

二、研究所

1.培育具備機電工程整合實務能力之專業工程師或研發人才。

2.培育機電工程相關研究創新與產業應用之專業工程師或研發人才。

3.培育具備人文素養、專業倫理及終身學習能力之專業工程師或研發人才。

News

Browse

Search Results

Now showing 1 - 1 of 1
  • Item
    矽鍺通道與CESL應力層之機械性質對N型奈米元件之影響
    (2013) 陳姿含
    本研究分析具矽鍺通道結構之N型電晶體,其結構尺寸對於元件之應力分佈與性能表現。該研究證實,藉由接觸蝕刻停止層結合矽鍺應力源之先進應變工程技術,能有效提升元件性能。將矽鍺通道因晶格不匹配而產生之應力,與接觸蝕刻停止層之內應力結合,組成多重應力源結構,並藉由三維有限元素分析軟體,模擬分析此結構於N型電晶體內之通道應力分佈。分別使用1.1 GPa之拉伸應力與-2 GPa之壓縮應力,做為接觸蝕刻停止層之內應力,並將0 %、 22.5 %與 25 % 做為矽鍺通道之鍺莫耳分率用以模擬分析。分析結果指出鍺濃度愈高(大於零),則晶格不匹配程度愈大,故通道產生之應力愈多。其中,固定鍺濃度為22.5 %且元件閘極寬度為10 m,當改變元件通道長度為0.11、1與10 (m) 時,該元件通道之應力趨勢與電性測量結果相符合。為了觀察三維模擬之表現而改變通道寬度予以分析,結果顯示隨著閘極寬度愈長,三維結果會逐漸收斂至二維結果,可視為一平面應變狀態。 此外,考慮元件佈局圖對於電晶體之應力分佈與性能表現之影響,本研究利用三維有限元素分析,模擬具有內應力之接觸蝕刻停止層與矽鍺層對於延伸閘極結構與通道應力的影響。結果顯示增長延伸閘極之寬度,則延伸閘極彎曲效應增加致使通道應力增加,將使元件性能有所提升,而當延伸寬度大於1 m ,則元件通道應力逐漸趨於飽和狀態。