機電工程學系

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系所沿革

為迎合產業機電整合人才之需求,本校於民國 91年成立機電科技研究所,招收碩士班學生;隨後並於民國93年設立大學部,系所整合為「機電科技學系」,更於101學年度起招收博士班學生。103學年度本系更名為「機電工程學系」,本系所之發展方向與目標,係配合國家政策、產業需求與技術發展趨勢而制定。本系規劃專業領域包含「精密機械」及「光機電整合」 為兩大核心領域, 使學生不但學有專精,並具跨領域的知識,期能強化學生之應變能力,以適應多元變化的明日社會。

教學目標主要希望教導學生機電工程相關之基本原理與實務應用的專業知能,並訓練學生如何運用工具進行設計、執行、實作與驗證各項實驗,以培養解決機電工程上各種問題所需要的獨立思考與創新能力。

基於建立系統性的機電工程整合教學與研究目標,本系學士班及研究所之教育目標如下:

一、學士班

1.培育具備理論與實作能力之機電工程人才。

2.培育符合產業需求或教育專業之機電工程人才。

3.培育具備人文素養、專業倫理及終身學習能力之機電工程人才。

二、研究所

1.培育具備機電工程整合實務能力之專業工程師或研發人才。

2.培育機電工程相關研究創新與產業應用之專業工程師或研發人才。

3.培育具備人文素養、專業倫理及終身學習能力之專業工程師或研發人才。

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    氧化鋅奈米線/奈米鑽石薄膜複合結構之特性研究
    (2009) 何書安; Shu-An He
    氧化鋅(ZnO)為一寬能帶間隙半導體材料,並且擁有許多吸引人的特性,例如奈米結構多變性、室溫下有很高的發光效率和高激子束縛能、高壓電特性、無毒性可應用於光電生醫方面。在本論文中使用氧化鋅奈米線(Zinc oxide nanowires, ZnO NW)和奈米鑽石薄膜(nanocrystalline diamond thin films, ND)製作複合結構,首先利用微波電漿化學氣相沉積系統成長奈米鑽石薄膜,接著分別利用水熱法以及VLS 法成長氧化鋅奈米線於奈米鑽石薄膜上。 研究結果發現水熱法成長氧化鋅奈米線/奈米鑽石薄膜複合結構之場發射起始電場可降低至5.6 V/μm、場增強因子為1286。VLS法成長氧化鋅奈米線/奈米鑽石薄膜結構之場發射起始電場為6.5 V/μm、場增強因子為1565,與單純奈米鑽石薄膜比較,證實成長氧化鋅奈米線於奈米鑽石薄膜上之複合結構有效提升場發射特性。單純氧化鋅奈米線之電漿後處理場發射特性結果發現,分別以氬氣電漿作用1、3、5分鐘後,發現氬氣電漿處理1分鐘可降低起始電場至12.4 V/μm、提升場增強因子至526。以氫氣電漿作用1、3、5分鐘後,得到結果為氫氣電漿處理3分鐘可降低起始電場至10.6 V/μm、提升場增強因子至903。綜合VLS法成長複合結構與氫電漿處理3分鐘之試片,起始電場為6.6 V/μm、場增強因子為1951,與前述之複合結構比較後,證實綜合VLS法成長複合結構與氫電漿處理3分鐘之試片擁有較佳的場發射特性。