學位論文
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Item 晶圓穿孔陣列之光輔助電化學蝕刻特性研究(2008) 羅嘉佑; Jia-You Lo本研究自行開發低光源成本之光輔助電化學蝕刻(photo-assisted electrochemical etching, PAECE)設備，藉由改變光照強度及界面活性劑等實驗條件，並改善電化學蝕刻穿孔製程，得到較高之蝕刻速率與低孔壁粗糙度的穿洞陣列。未來可應用於積體化微探針陣列之製作，或利用晶圓內垂直導體之晶圓內連線而實現晶圓級堆疊封裝之目的。此技術開發有設備與製程成本低、可批次生產、良率高，且與半導體製程相容性高等特點。 由實驗結果已驗證，在利用光輔助電化學蝕刻技術製作高深寬比微穿孔陣列方面，可得到500 um的孔洞深度、穿孔時間最快約為16.7 hr的微穿孔陣列，且孔壁形貌有極佳之表面粗糙度。電化學蝕刻之孔徑最小約為21 um，蝕刻孔洞之深寬比最大約為17.7。相關之實驗條件如下：光源照度為32000 lux至18000 lux，選用陽離子型界面活性劑1 wt.% DC-1、陰離子型界面活性劑1 wt.% MA、強氧化劑2.5 wt.% H2O2及有機界面活性劑1 wt.% Alcohol。經此技術蝕刻而得之黑色微孔洞陣列，在僅添加陰離子型界面活性劑1 wt.% MA且蝕刻2 hr後，其反射率最低可降至約0.43%，而使用界面活性劑蝕刻穿孔之結構亦能有約0.4-0.5%之反射率。 本研究證明了利用此技術已能局部取代乾式蝕刻之應用領域，並對於積體化微探針陣列之製作，或晶圓內連線之晶圓級堆疊封裝有極大的助益。且經此技術所製成之黑色微孔洞陣列結構，將有機會應用於太陽能電池之抗反射層，大幅提升太陽能電池之轉換效率。