學位論文

Permanent URI for this collectionhttp://rportal.lib.ntnu.edu.tw/handle/20.500.12235/73905

Browse

Subject: search.filters.subject.silicene

Search Results

Now showing 1 - 3 of 3
  • No Thumbnail Available
    Item
    矽烯與鐵在半導體表面上成長的研究
    (2016) 許宏彰; Hsu, Hung-Chang
    無中文摘要
  • No Thumbnail Available
    Item
    矽單層在銀薄膜上的表面形貌與能譜分析
    (2016) 蘇泰龍; SU, Tai-Lung
    在文獻中得知可以在單晶金屬表面上成長矽單層結構，在本實驗中Si(111)-(7×7)表面上成長6 ML的Ag(111)薄膜取代單晶銀塊材，然後在成長矽單層結構在銀薄膜上。首先將矽基板經過Flash與熱退火的步驟製成Si(111)-(7×7)，然後降至100 K後鍍上6 ML的銀，溫度回到室溫在加熱退火至570 K，等樣品緩慢降至室溫就完成銀薄膜的製備，接著成長矽單層。 　　要成長矽單層，基底需要維持在500 K以上，在本實驗選擇將銀薄膜維持在550 K，鍍上1 ML的矽，就完成矽單層的製作。在此溫度製備完成的矽單層，可以用STM觀察到四種矽單層結構，分別是4×4、 、兩種 結構，除了結構上再加上STS結果，比較後發現並無差異。 　　因為基底並非銀塊材，所以用LEED觀察後發現Ag(1×1)會發生錯位，用STM觀察也得到相同的結果，並發現銀薄膜的錯位對矽單層的STS結果並無影響。 　　但當銀薄膜的厚度不同，會表現不同的特性，在6 ML的銀薄膜上鍍矽可發現矽單層，但在1 ML的銀薄膜上鍍矽卻沒有矽單層，推測鍍上去的矽與銀發生翻轉而往下埋入成為矽基板的一部分，所以6 ML的銀薄膜確實可用來代替銀塊材。
  • No Thumbnail Available
    Item
    矽單層在銀/矽(111)-(1x1)薄膜表面上的成長
    (2015) 吳佳原; WU, Jia-Yuan
    在本實驗中我們利用液態氮將 Si (111)-7×7 基板降至100 K後，再用K-cell 蒸鍍銀原子於表面，經過熱退火後得到平整的銀薄膜。 在該薄膜上我們維持一定的溫度蒸鍍矽原子，藉此成長矽單層。在改變不同溫度下蒸鍍矽原子，我們透過掃描穿隧式顯微鏡發現4種不同結構的矽單層，包括4×4、√13×√13-1、√13×√13-2、2√3×2√3，並且發現 4×4 結構在高溫比較容易出現。而在超過 1 ML 的鍍量實驗中我們發現第二層的矽單層和 2×2 的有序排列。 另外，從低能量電子繞射儀的觀察，發現銀薄膜表面原子排列存在錯位，在這種表面成長矽單層會使得排列方向改變。在排列方向改變的區域存在明顯的邊界或是排列的空缺。