學位論文

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2013 - 20142

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Subject: search.filters.subject.Silicene

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    矽在銀/矽(111)-(√3x√3)與銀/鍺(111)-(√3x√3)表面上的成長
    (2014) 謝伯宜; Hsieh, Po-I
    本實驗將矽原子蒸鍍於不同表面溫度之銀/矽(111)-(√3x√3)與銀/鍺(111)-(√3x√3)表面，並以掃描穿隧式顯微鏡(STM)觀察矽原子於兩表面的成長。在矽/銀/矽系統中，√3x√3島緣之下層發生了矽-銀交換的現象，矽原子將以Step-growth的形式自√3x√3島緣併入基底，使得上層√3x√3島面積比例上升。在矽/銀/鍺系統中，在表面上可觀察到兩種規則性結構，分別為 √3x√3島以及有序結構。√3x√3島為矽原子與下方銀原子層交換所形成之週期性島，有序結構為矽原子於表面上排列組成之單層矽結構。該有序結構依原子排列方式，可進一步區分為2x2六角結構以及矩形結構。
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    鋪覆超薄膜於針狀金屬表面之現象研究
    (2013) 陳晏清; Chen Yen Ching
    本實驗藉由場離子顯微鏡，觀察超薄膜鋪覆於針狀金屬表面之現象。其實驗現象可分為兩方向討論，其一為覆鉑於鈷針狀結構，由於切面擴張產生皺化現象。加熱退火至600K，可發現由於鉑之鋪覆，增加表面能異向性、降低皺化所需之加熱退火溫度，使得表面自由能較低的(0001)、(1013)、 (1013)切面擴張，並形成單條稜線，但由於鈷為非耐火性之材料，因此易受加熱退火影響，使得稜線成長不完整，難以觀察到金字塔堆疊。 另一方向為，覆矽於銥及鉑針狀結構，成長單層皺形之蜂巢結構-Silicene。由於場離子顯微鏡可看到同一樣品之各個切面，因此可觀察矽於各個切面成長之穩定結構：覆矽於銥(111)切面可發現，同時蒸鍍及加熱退火，可成長較特殊的結構；於銥(100)切面可觀察到矽原子排列成(3×2)之結構；於(311)、(310)及台階邊緣可成長帶狀、六角結構。 覆矽於鉑(111)切面，可觀察切面上可成長六角結構，與現在備受討論的議題-「Silicene」具有相似結構，因此推測鉑也可能成為成長Silicene之基底。