學位論文

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Subject: search.filters.subject.矽烯

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    矽在銀/矽(111)-(√3x√3)與銀/鍺(111)-(√3x√3)表面上的成長
    (2014) 謝伯宜; Hsieh, Po-I
    本實驗將矽原子蒸鍍於不同表面溫度之銀/矽(111)-(√3x√3)與銀/鍺(111)-(√3x√3)表面，並以掃描穿隧式顯微鏡(STM)觀察矽原子於兩表面的成長。在矽/銀/矽系統中，√3x√3島緣之下層發生了矽-銀交換的現象，矽原子將以Step-growth的形式自√3x√3島緣併入基底，使得上層√3x√3島面積比例上升。在矽/銀/鍺系統中，在表面上可觀察到兩種規則性結構，分別為 √3x√3島以及有序結構。√3x√3島為矽原子與下方銀原子層交換所形成之週期性島，有序結構為矽原子於表面上排列組成之單層矽結構。該有序結構依原子排列方式，可進一步區分為2x2六角結構以及矩形結構。
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    矽烯與鐵在半導體表面上成長的研究
    (2016) 許宏彰; Hsu, Hung-Chang
    無中文摘要
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    矽單層在銀/矽(111)-(1x1)薄膜表面上的成長
    (2015) 吳佳原; WU, Jia-Yuan
    在本實驗中我們利用液態氮將 Si (111)-7×7 基板降至100 K後，再用K-cell 蒸鍍銀原子於表面，經過熱退火後得到平整的銀薄膜。 在該薄膜上我們維持一定的溫度蒸鍍矽原子，藉此成長矽單層。在改變不同溫度下蒸鍍矽原子，我們透過掃描穿隧式顯微鏡發現4種不同結構的矽單層，包括4×4、√13×√13-1、√13×√13-2、2√3×2√3，並且發現 4×4 結構在高溫比較容易出現。而在超過 1 ML 的鍍量實驗中我們發現第二層的矽單層和 2×2 的有序排列。 另外，從低能量電子繞射儀的觀察，發現銀薄膜表面原子排列存在錯位，在這種表面成長矽單層會使得排列方向改變。在排列方向改變的區域存在明顯的邊界或是排列的空缺。