學位論文

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    氧化鏑鋅薄膜的法拉第磁光與電性
    (2021) 林韋如; Lin, Wei-Ju
    以脈衝雷射蒸鍍法在c方向藍寶石基板上製備氧化鏑鋅薄膜，並討論其結構、光學、磁光與電性特性。分析X光繞射光譜與拉曼光譜，並沒有產生其他晶相，隨摻雜濃度增加，晶粒尺寸變小，晶格常數變化不大。光致螢光光譜顯示，純氧化鋅有很強的近能隙發光，隨摻雜濃度增加，近能隙發光強度漸弱，缺陷發強度增強，主要缺陷為氧空缺、鋅空缺與鋅間隙。磁光光譜可看出，所有薄膜呈順磁性，與SQUID量測結果相同，Verdet constant大致隨波長增長而漸弱；其中缺陷所對應的發光波長，Verdet constant 與摻雜比例做圖，摻雜濃度10%響應為最強。量測電流-電壓曲線圖得知所有電極都為歐姆接觸。使用Van der Pauw法量測氧化鏑鋅薄膜的電阻率數值在0.078 mΩ·cm與277.72 mΩ·cm之間。霍爾效應檢測顯示氧化鋅為n型半導體，1%及5%的氧化鏑鋅薄膜為p型半導體，載子濃度在7.89×1018 cm-3與5.32×1022 cm-3之間，遷移率在4.3×10-4 cm2/Vs與35.13 cm2/Vs之間。
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    鐡錳鐡薄膜成長於銅三金之晶體結構與磁性
    (2009) 邱傑振; Ciou Jie-Jhen
    我們使用中能量電子繞射儀,低能量電子繞射儀,磁光科爾效應來決定Fe/Mn/fcc-like Fe/Cu3Au(001)之成長模式,晶體結構及磁性。與Fe/Mn/Cu3Au(001)來比較,在磁性上有一些有趣的發現。即使多了fcc鐡的緩衝層,在低厚度時錳的晶體結構仍然是fcc.造成在垂直於晶體表面方向矯頑磁力的增強以及磁易軸翻轉的臨界厚度偏移可歸因於fcc鐡的緩衝層具有垂直於晶體表面方向的磁異向性.
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    透過氫氣作用控制磁性層間交互耦合效應
    (2017) 陳宜樺; Chen, Yi-Hua
    　　長期以來，鈀一直作為氫氣解離和吸附的高效催化劑。在鈀合金或內米結構中，鈀的氫化容易引起相鄰材料有顯著的鄰近效應。在本實驗中，我們在超高真空中使用電子束蒸發磊晶法，在MgO (001)的基底上製備了磁性界面耦合系統。通過退火處理，可以得到平坦的MgO (001)表面，用來沉積Fe/Pd/Fe三層膜。 　　在一定鈀的厚度下，通過磁光柯爾效應在平行(In-Plane)方向，可以在Fe/Pd/Fe/MgO(001)系統中觀察到清楚的雙磁滯曲線。這現象說明頂層和底層鐵層之間的反鐵磁耦合。隨著室溫下的氫氣脫吸附，反鐵磁層間耦合有明顯的變化，如雙磁滯曲線的矯頑場變化所示。這結果表示，鐵/鈀多層膜系統未來可以應用為敏感性高的氫氣感測GMR傳感器