學位論文
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Item Item 矽單層在銀/矽(111)-(1x1)薄膜表面上的成長(2015) 吳佳原; WU, Jia-Yuan在本實驗中我們利用液態氮將 Si (111)-7×7 基板降至100 K後，再用K-cell 蒸鍍銀原子於表面，經過熱退火後得到平整的銀薄膜。 在該薄膜上我們維持一定的溫度蒸鍍矽原子，藉此成長矽單層。在改變不同溫度下蒸鍍矽原子，我們透過掃描穿隧式顯微鏡發現4種不同結構的矽單層，包括4×4、√13×√13-1、√13×√13-2、2√3×2√3，並且發現 4×4 結構在高溫比較容易出現。而在超過 1 ML 的鍍量實驗中我們發現第二層的矽單層和 2×2 的有序排列。 另外，從低能量電子繞射儀的觀察，發現銀薄膜表面原子排列存在錯位，在這種表面成長矽單層會使得排列方向改變。在排列方向改變的區域存在明顯的邊界或是排列的空缺。