學位論文

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2014 - 20152

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    矽在銀/矽(111)-(√3x√3)與銀/鍺(111)-(√3x√3)表面上的成長
    (2014) 謝伯宜; Hsieh, Po-I
    本實驗將矽原子蒸鍍於不同表面溫度之銀/矽(111)-(√3x√3)與銀/鍺(111)-(√3x√3)表面，並以掃描穿隧式顯微鏡(STM)觀察矽原子於兩表面的成長。在矽/銀/矽系統中，√3x√3島緣之下層發生了矽-銀交換的現象，矽原子將以Step-growth的形式自√3x√3島緣併入基底，使得上層√3x√3島面積比例上升。在矽/銀/鍺系統中，在表面上可觀察到兩種規則性結構，分別為 √3x√3島以及有序結構。√3x√3島為矽原子與下方銀原子層交換所形成之週期性島，有序結構為矽原子於表面上排列組成之單層矽結構。該有序結構依原子排列方式，可進一步區分為2x2六角結構以及矩形結構。
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    矽於鎢表面上的擴散與成長
    (2015) 王晨育; Wang, Chen-Yu
    本實驗使用場離子顯微鏡研究矽原子吸附在鎢表面上的擴散行為與排列方式。藉由擴散運動實驗，我們得到單顆矽原子在鎢(110)和鎢(211)上的擴散活化能分別為0.66±0.04(eV)和0.48±0.01(eV)。在排列方面的觀察發現：鎢(110)上的矽原子在高覆蓋率時長成(2√2/√3×4/√3)R35.26結構；鎢(211)上的矽原子排成有間隔的直鏈狀結構；鎢(111)上的矽原子排成三角或直鏈型結構；鎢(411)上的矽原子排成(1×1)結構。 另外，我們為了蒸鍍鍺而嘗試了幾種方法，其中發現使用鎢舟是比較簡單有效的方法。