學位論文
Permanent URI for this collectionhttp://rportal.lib.ntnu.edu.tw/handle/20.500.12235/73905
Browse
2 results
Search Results
Item 以掃描式穿透顯微鏡研究NaxCoO2單晶表面(x = 0.84)(2007) 黃松勳我們以掃描式探針顯微鏡(scanning tunneling microscopy, STM)研究NaxCoO2的表面結構，觀察濃度x = 0.84之單晶樣品，在超高真空系統中剝離出新的表面進而在STM下觀察其表面結構，在室溫下觀察到表面Na形成排列結構p(√7 x √7) hexagonal phase和p(3 x 3) kagome phase，以及p(2√3 x 2√3) pinwheel phase。同時也觀察到Na的排列結構隨著時間會有明顯的變化，如流體般與固態之間的漲落；並以觀察到的實驗結果進而建構以Na原子形成trimmer之模型來描述Na原子在表面的排列結構。我們也觀察到類一維的p(6 x 1)的條紋相(stripe phase)，其結構週期在表面低能電子繞射(low energy electron diffraction, LEED)和在單晶X-ray Laue繞射中都被觀察到，說明了條紋相結構不僅存在表面上同時也存在整個單晶塊材之中。在STM下也觀察到三個方向條紋相的分佈邊界(domain boundary)，以及Na排列相隨著條紋相之週期排列起伏的情況。在LEED實驗中，些微加熱或降低溫對於條紋相p(6 x 1)排列結構有增進的效果。但在低溫的STM實驗中，僅少數可觀察到kagome phase的Na排列，大部分觀察到的Na排列結構較室溫下所觀察的無序。Item 鈷在矽(111)-7×7與鈷在(√3×√3)-Ag/Si(111)表面隨溫度變化之行為研究(2006) 郭長祐室溫下的鈷會與矽發生電子轉換的反應，而使得矽（111）-（7×7）的adatom從原本在掃描穿隧顯微鏡（STM）下的亮點轉而成為暗點，經由統計發現鈷所造成的電子態轉換集中在（7×7）重構中未堆疊錯誤半單位晶格的中間位置的adatom上。 我們利用可變溫的掃描穿隧顯微鏡（VT-STM），在不同的低溫下觀察鈷在矽表面的行為。經由實驗與統計，我們發現鈷在100K的溫度下不會與矽基底發生電子的轉換。再接下來的變溫實驗裡，我們成功的找出鈷在矽表面發生電子轉換的臨界溫度為126K ~ 130K之間。我們並推測，在較高溫度時鈷原子會有擴散的行為，擴散到（7×7）重構中未堆疊錯誤半單位晶格的中間位置並與adatom發生反應。 在鈷蒸鍍在（√3×√3）銀/矽（111）的系統裡，我們發現室溫下的鈷是單純且均勻的吸附在銀/矽的表面上，並沒有對銀/矽的表面產生任何的變化。我們將溫度升高至100、200、300、400及500℃後，再進行STM的觀察。觀察後發現，溫度升高至200℃之後，鈷的原子團開始發生聚集。隨著溫度的增加，鈷原子的聚集現象越明顯，而且有向√3島的邊緣聚集的趨勢，但我們仍然沒有發現鈷原子對於銀/矽的基底造成其它的影響。因此我們知道，單層的銀原子就可以有效的阻止鈷與矽產生電子的轉換。