學位論文

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Has files: NoSubject: search.filters.subject.場離子顯微鏡

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    以場離子顯微鏡進行覆鉑及覆鈀單原子級針尖的研究
    (2011) 白家瑞; PAI,CHIA-JUI
    　　實驗藉由場離子顯微鏡，對電化學電鍍法所製備覆鉑及覆鈀單原子級針尖進行研究;而藉由成長完成的覆鉑及覆鈀單原子針，我們亦可轉換至場發射(FEM)模式，觀察[100]、[221]皺化的場發射影像，並獲得其對應的場離子影像。 　　我們發現部份成長單原子針的實驗中，無法獲得良好的金字塔結構，是由於鋪覆針尖的氧化層所造成的，而當針尖存在氧化層會造成金字塔的稜線較長、針尖遍佈雜點、[211]面的原子列間距較寬…等現象，而針對皺化程度不同的覆鈀鎢針進行曝氧，我們也可以觀察到相似的場離子影像。
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    鉑或銥原子團在鉑表面之擴散研究
    (2008) 高玉娟; Kao Yu Jan
    鉑或銥原子團在鉑表面之擴散研究 使用場離子顯微鏡(FIM)在超高真空(UHV)的環境下，觀察鉑或銥原子團在鉑表面上的擴散運動。當溫度加熱到135K，從三角形場離子影像的方向判斷，單顆鉑在鉑(111)面上只會吸附在FCC site。接著利用觀察時所繪出原子位置地圖(site mapping)，分析原子擴散的步數，並代入擴散的波茲曼分佈(Boltzmann distribution)，得到鉑在鉑(111)面的擴散活化能為0.33±0.01eV。再根據單顆鉑出現在FCC site 與HCP site的次數與波茲曼分佈的關係，計算出鉑吸附在FCC site的束縛能比在HCP site的束縛能大了0.04eV以上。 其次，觀察中也發現七顆銥原子團(Ir7)在鉑(111)面上，以正六角形的形貌擴散的機率是35/40。統計40次擴散事件，得到擴散活化能為1.41 0.03 eV。綜合比較Ir7/Ir(111)[6]、Ir7/Pt(111)、Pt7/Pt(111)[3]系統，發現原子團在Pt (111)面上，Ir7比Pt7更難擴散，而Ir7在Ir(111)面上卻比Pt(111)面上更難擴散。影響上述擴散難易程度的因素包括吸附原子團內部的束縛能、原子團與基底的交互作用。
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    以氧氣場效蝕刻法製備鈮奈米針
    (2016) 黃詮友; Huang, Quan-You
    我們提出在超高真空環境下多晶鈮針的簡易的針型修復技術。這種針型修復技術是基於在場離子顯微鏡的操作下空間性的控制氧氣與鈮表面原子發生反應。限制場效蝕刻反應發生在針柄處使我們得以製作鈮奈米針。從FIM成像偏壓下降以及針尖部位FIM影像面積縮減可證實奈米針尖形成。我們場效蝕刻鈮針在三個不同的樣品溫度(25K、50K、80K) 。然後我們比較其蝕刻效率與影像品質。 我們量測蝕刻後針尖的場發射電子電流並繪製F-N圖。F-N圖顯示場效蝕刻後針尖的針型在熱處理後會發生變化。我們也對30分鐘內鈮奈米針的場發射電流穩定度進行量測。當場發射電子電流434Pa時，不穩定度在10%以下｡