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Item 鈷在矽(111)和鍺(111)表面與雙羧基紫精在銅(100)表面上的表面結構變化研究(2009) 蔡松麟; Sung-Lin Tsay此論文主要分為兩個部分，第一個部分的實驗，為鐵磁性物質鈷原子被蒸鍍在矽(111)-7×7與鍺(111)-c(2×8)表面上，隨不同加熱退火的溫度處理後，利用超高真空掃描穿隧顯微鏡(UHV-STM)與低能量電子繞射儀(LEED)來研究鈷島成長行為。第二個部分的實驗藉由電化學掃描穿隧顯微鏡(EC-STM)與循環伏安法(Cyclic Voltammetry, CV)，研究有機分子雙羧基紫精 (Dicarboxylatic Viologens)在銅(100)與HOPG表面上隨著溶液偏壓而發生相變的行為。相變會因為外在環境的影響而發生，如同利用加熱退火使得鈷島産生結構的改變，與溶液在外加偏壓下驅使Violognes分子重新排列形成新的排列。 當鈷被蒸鍍在矽(111)-7×7與鍺(111)-c(2×8)表面上，在鈷鍍量低時，表面上出現因為鈷矽與鈷鍺形成合金時所出現的缺陷，為了確認這些缺陷的確是因為鈷與矽形成反應，把鈷鍍在低溫的矽表面，在回溫過程時發現當鈷與矽形成反應時造成缺陷的出現，此反應出現在126K到130K之間。600K的加熱退火之後，會出現Co5Ge7的合金，另外鈷在鍺上有機會形成具有√13×√13 R14°週期性的表面結構，但是出現機率小，所以此結構的週期在LEED上沒有呈現出來，之前也沒有任何的研究發現。當鈷與矽或與鍺形成反應後所呈現的磁性強度遠比單純鈷還來得小，所以銀被選為緩衝層避免鈷與底下的基底反應。在鈷鍍量低時，鈷無法形成2維並且具有週期性的結構在矽(111)-√3×√3表面上，然而鈷能夠形成√13×√13 R14°與2×2的表面結構在鍺(111)-√3×√3表面上在經過加熱退火的處理後。只有當鈷鍍量大於1.8單層之後，才有辨法形成1×1的表面結構在銀/矽(111)-√3×√3表面上。因為銀/矽(111)-√3×√3面具有未滿足的電子態，所以使得鈷在低鍍量時，無法形成具有週期的表面結構，鈷傾向滿足那些未滿足的電子態來降低表面自由能而不是形成2維島，但是當鍍量增加時，鈷不受到那些未滿足的電子態的影響而形成1×1的表面結構，除此之外基底鍺也扮演著重要的角色使得鈷能夠形成具有表面結構的2維島，因為同樣是√13×√13 R14°的表面結構能夠在Si(111)-7×7與矽(111)-√3×√3表面形成，進一步發現√13×√13 R14°與2×2的表面結構跟加熱退火的溫度和鈷的鍍量有關係造成兩種結構的相變。為了避免因為銀/矽(111)-√3×√3表面上的未滿足電子態而使得鈷無法形成具有週期性的2維鈷島，約6單層鍍量的銀鍍在100K的矽(111)-7×7表面上，再經過加熱退火至300oC後，銀能夠形成平坦的表面在矽(111)-7×7表面之上，然後再鍍上鈷，發現依然無法形成具有週期性的2維鈷島，所以是否能夠形成具有週期性的2維鈷島主要是受到鍺基底的影響。 濃度0.1mM的雙羧基紫精在銅(100)表面上發現6種排列的模式，雙羧基紫精在氧化態(+2)時程現出平均分佈的點陣排列與傾斜的排列，在此氧化態時雙羧基紫精的含氮雙芽基平面平行表面，因為+2的氧化態與基底陰離子層氯/銅(100)-c(2×2)之間的作用比分子之間還來得強，在還原態(+1)時分子之間傾向以面對面的方式排列( )形成條紋的圖案，主要發現了亞穩態與鬆散的條紋排列和緊密的條紋排列與雙分子排列，這麼多的排列方式主要是因為此雙羧基紫精具有7個長度的烷基鍵，因此在空間與分子之間作用力的影響下造成了多樣的排列。更進一步發現雙層的堆積在亞穩態時就已經形成了，這是因為氮與氧之間的氫鍵作用力所造成的，所以當溶液濃度升高至1.0 mM時，分子多層堆積的成長被發現，此外也發現了不同陰離子層對分子的排列造成影響，當陰離子層為氯離子時，可以發現然亞穩態，然而當陰離子層為溴時，並沒有發現此態。Item 鎳/鈷/鉑(111)及鈷/鎳/鉑(111)系統其結構與磁性性質之研究(2006) 何慧瑩; Huei-Ying Ho本研究論文主要是利用歐傑電子能譜儀(Auger electron spectroscopy; AES)，低能量電子繞射儀(low-energy electron diffraction; LEED)，紫外光能譜術(ultra-violet photoemission spectroscopy; UPS)、以及磁光柯爾效應儀(magneto-optical Kerr effect; MOKE) 來研究Ni/Co/Pt(111) 及Co/Ni/Pt(111) 鏡像系統其成長模式、合金形成及表面磁性的關係。 根據LEED(0,0)光束強度及AES訊號強度隨蒸鍍時間變化的關係，我們得知在室溫條件下，無論是Ni超薄膜在1 ML Co/Pt(111) 上成長(ML: monolayer)，或者是Co超薄膜在1 ML Ni/Pt(111)上成長時，都會先形成2層的層狀成長之後才開始3維的島狀成長。對此二系統而言，其升溫形成合金的過程都可被分成2階段，首先是升溫過程中，Co和Ni會先混合，然後Ni-Co混合層在更高溫時會擴散進入Pt基底，形成Ni-Co-Pt合金。其中，1-3 ML Ni/1 ML Co/Pt(111)系統開始產生Ni與Co混合的溫度皆為420 K，此溫度與Ni覆蓋層的厚度無關；然而對1-3 ML Co/1 ML Ni/Pt(111) 系統而言，產生Ni與Co混合的溫度隨Co覆蓋層的厚度增加而升高。此二系統的Ni-Co混合層開始擴散進入Pt基底形成Ni-Co-Pt合金的溫度，皆隨著覆蓋層的厚度增加而升高。 我們同時也量測在室溫成長時，其磁性隨覆蓋層厚度變化的關係。1層至24層Ni超薄膜在1 ML Co/Pt(111) 成長時，其磁化易軸(the easy axis of the magnetization)會在垂直樣品表面的方向，具有很強的垂直磁異向性(perpendicular magnetic anisotropy; PMA)；1至3層Co原子層蒸鍍在1 ML Ni/Pt(111)上，無論是垂直或者是平行樣品表面我們皆量測不到磁滯的訊號，此現象可能與Ni緩衝層阻隔了Co與Pt接觸有關。樣品經過升溫效應所產生的磁性變化其擴散過程一致。經過高溫處理過後的樣品形成了Ni-Co-Pt合金，合金的矯頑力(coercivity)大小可經由升溫時產生的合金濃度變化來控制。 根據比較1 ML Ni/1 ML Co/Pt(111)與1 ML Co/1 ML Ni/Pt(111)的實驗結果，我們發現當退火溫度(annealing temperature)介於750 K 和780 K之間時，表面合金結構會由NixCo1-xPt轉變成NixCo1-xPt3，藉由計算接近居禮溫度(Curie temperature)時的值(critical exponent)，我們得知此時表面的磁性結構亦由2維磁性結構的轉變成3維磁性結構，並且，在表面合金結構由NixCo1-xPt轉變成NixCo1-xPt3之時，居禮溫度隨退火溫度升高而下降的現象變得更明顯。此外，在相同退火溫度條件下，1 ML Ni/1 ML Co/Pt(111)系統的居禮溫度一直比1 ML Co/1 ML Ni/Pt(111)系統的居禮溫度高，我們認為這種現象與Ni、Co的成分比有關。我們也經由研究2 ML Ni/1 ML Co/Pt(111)、2 ML Co/1 ML Ni/Pt(111)、12 ML Ni/1 ML Co/Pt(111)、以及24 ML Ni/1 ML Co/Pt(111)等系統來探討Ni、Co的成分比對居禮溫度的影響。 另一組鏡像系統，2 ML Ni/2 ML Co/Pt(111)和2 ML Co/2 ML Ni/Pt(111)，經過退火之後，我們意外地發現樣品產生了spin reorientation transition (SRT)，這種現象在以1層Co及1層Ni當作緩衝層的系統中，完全沒有被發現過。我們認為Ni、Co的成分比及其分佈的均勻度應是造成此現象的重要因素，在本論文中我們會加以討論。Item 製作反鐵磁性的氧化鈷在鈷/矽(111)超薄膜上之交換偏移作用研究(2009) 莊家翔; Chiashain Chuang交換偏移作用在半導體上的想法已經被初步的完成。為了完成這個想法，鐵磁性的元素-鈷，被覆蓋於半導體中最具代表性的元素-矽晶面上。研究交換偏移作用在半導體上的第一步驟是製作反鐵磁性的超薄氧化鈷膜。在此文獻中，有三種方法被用在製作反鐵磁性的超薄氧化鈷膜。它們分別是「在常溫下以氧壓下鍍鈷的方式製作超薄反鐵磁氧化鈷膜於11 ML 鈷/矽(111)上」、「在常溫下曝氧於鈷/矽(111)上」和「在常溫下以氧壓下鍍鈷的方式製作超薄反鐵磁氧化鈷膜於已曝氧4000 L達飽和的11 ML 鈷/矽(111)上」。 在第一個方法中，不論是縱向和垂直方向的磁光柯爾效應，其阻隔溫度和交換偏向場都不遵守有限尺寸效應。這實驗結果顯示超薄反鐵磁性的氧化鈷膜或超薄鐵磁性的鈷膜中，可能有某種形式的奈米結構。 在第二個方法中，我們得到一個指數上升的方程式，藉由這個方程式我們可以預測鈷矽化合物(CoSi2)的混合層數。在5在15的鈷原子層中，從AES強度氧鈷比飽和的強度變化換轉成氧的吸附層數，我們可以用一個指數上升的方程式曲線來近似這些數據。這個方程式可寫成IO = (IO)0 {exp[(tCo-t0)/D]-1}，其中(IO)0 = 0.41是氧的吸附比；t0 = 2.16 ML是鈷矽化合物(CoSi2)的混合層數；D = 6.98 ML是氧的平均擴散深度。 在最後的方法中，介於鐵磁層鈷與反鐵層氧化鈷介面的氧中，形成氧阻隔層，它會降低鐵磁層鈷與反鐵層氧化鈷的交換作用。另一方面此氧阻隔層也降低反鐵層氧化鈷的形成效率。 吾人提出三項重要的建議，它們分別是「零場冷卻過程」、「交換偏移磁性相圖」和「研究超薄反鐵磁層氧化鈷的表面形貌」。未來這三項建議若被實驗執行時，這可使我們交換偏移作用在半導體上的初步研究提升為交換偏移作用在半導體上的研究基石。Item 鈷在鉑上形成超尖磁性奈米針尖之研究(2009) 江佳倫; Chia-lun, Chiang我們利用場離子顯微鏡在超高真空的環境中觀察兩種磁性奈米針尖的成長，一種是利用表面皺化機制形成的鈷鉑合金金字塔形奈米針尖；另一種是藉由鈷在鉑(111)面的S. K. mode長成以鉑為基底的鈷奈米針尖。前者針尖生長於皺化形成的鈷鉑合金多面體之稜線交接處，分別位於{531}及{210}切面，{531}切面的金字塔是由擴張的{111}、{110}、{311}切面堆積，{210}切面的金字塔則由擴張的{110}及兩個{311}切面組成。而後者針尖是在室溫及20K時鍍鈷4～5ML於鉑(111)面，鈷原子先依鉑基底以FCC結構排列，再於其上堆積單顆、雙顆或三顆原子團，這些在鉑(111)面成長的鈷原子團即是一種無特定針形的奈米針尖。Item 氧與氧化鈷在鈷／矽(111)超薄膜上之磁性研究(2008) 張惟祐; Michael摘要 本實驗在超高真空的環境中，使用蒸鍍的方式將Co膜成長在Si (111)-7×7表面上，通入高純度之O2來研究曝氧效應對於Co/Si(111)超薄膜之影響，以歐傑電子能譜儀分析其表面成份，以低能量電子繞射儀以及反射式高能量電子繞射儀觀察其表面週期性結構，以表面磁光柯爾效應儀量測其磁性質。 在純Si (111)基板以及CoSi2介面上，O2會有弱物理吸附而不形成化合態；在鍍上Co膜後，O2吸附之效應較強，且吸附效果隨著Co膜厚成正相關。而O2的吸附作用將改變Co/Si(111)超薄膜之表面磁性層的電子組態改變，故MS、MR與其磁滯曲線角型比皆呈現下降之趨勢。此外由於O2的吸附之效應，一方面降低了有效磁性Co的層數，因而降低了HC；另一方面形成了釘紮區域(pinning sites)阻礙磁化的反轉，因而提高HC，而本系統所觀測到HC之變化為此兩種效應互相競爭的結果。 另一方面，以氧壓下鍍Co的方式製作超薄反鐵磁CoO膜於11 ML Co/Si (111)上，其易磁化軸由原本的水平膜面轉變至傾斜出膜面。且經過場冷卻至150 K可發現水平膜面與垂直膜面兩方向皆有交換偏壓的現象產生。於 CoO膜厚為20 ML時，此系統有最大水平膜面交換偏向場為258 Oe，且其阻隔溫度為200 K；而於CoO膜厚為15 ML時，此系統有最大垂直膜面交換偏向場為924 Oe，且其阻隔溫度為164 K。Item 鈷在矽(111)-7×7與鈷在(√3×√3)-Ag/Si(111)表面隨溫度變化之行為研究(2006) 郭長祐室溫下的鈷會與矽發生電子轉換的反應，而使得矽（111）-（7×7）的adatom從原本在掃描穿隧顯微鏡（STM）下的亮點轉而成為暗點，經由統計發現鈷所造成的電子態轉換集中在（7×7）重構中未堆疊錯誤半單位晶格的中間位置的adatom上。 我們利用可變溫的掃描穿隧顯微鏡（VT-STM），在不同的低溫下觀察鈷在矽表面的行為。經由實驗與統計，我們發現鈷在100K的溫度下不會與矽基底發生電子的轉換。再接下來的變溫實驗裡，我們成功的找出鈷在矽表面發生電子轉換的臨界溫度為126K ~ 130K之間。我們並推測，在較高溫度時鈷原子會有擴散的行為，擴散到（7×7）重構中未堆疊錯誤半單位晶格的中間位置並與adatom發生反應。 在鈷蒸鍍在（√3×√3）銀/矽（111）的系統裡，我們發現室溫下的鈷是單純且均勻的吸附在銀/矽的表面上，並沒有對銀/矽的表面產生任何的變化。我們將溫度升高至100、200、300、400及500℃後，再進行STM的觀察。觀察後發現，溫度升高至200℃之後，鈷的原子團開始發生聚集。隨著溫度的增加，鈷原子的聚集現象越明顯，而且有向√3島的邊緣聚集的趨勢，但我們仍然沒有發現鈷原子對於銀/矽的基底造成其它的影響。因此我們知道，單層的銀原子就可以有效的阻止鈷與矽產生電子的轉換。Item 鈷/鎳/鉑(111) 的成長與合金形成(2005) 林元祥我們利用歐傑電子能譜(Auger Electron Spectroscopy， AES)、低能電子繞射（Low Energy Electron Diffraction， LEED）、以及紫外光電子能譜術(Ultraviolet Photoelectron Spectroscopy， UPS)來深入探討鈷超薄膜鍍於 1ML Ni/ Pt(111) 的成長模式以及在高溫形成合金時的成份、結構變化。 室溫下，鈷薄膜鍍於1ML Ni/ Pt(111)的成長模式為兩層層狀成長之後再以三維島狀的S. K mode。由AES、LEED均能得到相同的結果。 鈷鍍在1 ML Ni/Pt(111)下，隨著鈷層數的增加，鈷、鎳混合的溫度會愈增加。鈷的層數在1 ML、2 ML、3 ML時，其鈷鎳混合溫度分別為420 K、500 K、600 K。混合後鈷與鎳會一起往白金擴散，層數愈高，往白金擴散的溫度也跟著愈高。依鈷層數1 ML、2 ML、3 ML，往白金擴散的溫度為580 K、600 K、700 K。 在1ML Co/ 1ML Ni/ Pt(111)系統在經過退火效應後，LEED繞射圖形在573 Ｋ前為（1×1）周圍有六角衛星點，超過573 K時六角衛星點便會消失，而在639 Ｋ時(1×1)周圍又出現了更小的三對稱衛星點，798 K時衛星點消失，剩下(1×1)的繞射亮點。 在2ML Co/ 1ML Ni/ Pt(111)系統在經過退火效應後，LEED繞射圖形在513 K以前（1×1）周圍皆有六角衛星點，過了513 K六角衛星點消失，剩下（1×1）的繞射亮點。 UPS的分析中，2ML Co/ 1ML Ni/ Pt(111)系統在升溫至598 K以上，出現明顯的變化，此與AES中鈷、鎳往白金擴散的溫度相呼應。Item Co/Ni/Pt(111)的磁性研究(2006) 游勝凱我以實驗室自製的磁光柯爾效應儀（SMOKE），進行不同層數的Co原子層在up layer，以1 ML Ni當buffer layer 在Pt(111)上的研究。就實驗室先前的研究，我們知道在平坦的Pt (111)表面鍍上Co超薄膜時，當Co薄膜的厚度小於4 ML時，具有垂直磁異向性（PMA），即磁化易軸的方向為垂直於樣品表面的方向(out-of-plane)，Co厚度繼續增加時，磁化易軸的方向會轉為平行於樣品表面的方向(in plane)，spin reorientation transition發生在4～5 ML間。我所研究的dCo Co/1 ML Ni/Pt(111)系統，室溫與450K下準備樣品，0～3 ML Co/1 ML Ni/Pt(111)進行SMOKE量測，在polar和longitudinal方向皆無訊號，而4＆5 ML Co/1 ML Ni/Pt(111)，我們量測到longitudinal的柯爾訊號；而室溫準備樣品再升高到450K量測，發現1 ML Co/1 ML Ni/Pt(111)的磁化易軸在out-of-plane方向，而2＆3 ML Co/1 ML Ni/Pt(111)無柯爾訊號，4＆5 ML Co/1 ML Ni/Pt(111)，我們量測到longitudinal的柯爾訊號；並對dCo Co/1 ML Ni/Pt(111)系統做升降溫實驗，瞭解Co、Ni與Pt合金之後的磁性狀態。 另外，我也研究了dNi Ni/1 ML Co/Pt(111)系統，和先前實驗室將Ni超薄膜鍍在Pt(111)上，dNi Ni/Pt(111)的磁化易軸與樣品面夾一角度，經分析得 ，做個比較。學生所研究dCo Co/1 ML Ni/Pt(111)的系統，一開始1 ML Co/Pt(111)的磁化易軸為out-of-plane方向，蒸鍍上Ni原子層，直到24 ML Ni/1 ML Co/Pt(111)，磁化易軸仍為out-of-plane方向。並對2、12＆24 ML Co/1 ML Ni/Pt(111)做升降溫實驗，瞭解Co、Ni與Pt合金之後的磁性狀態。 我的研究結果顯示，當僅有1 ML Ni當buffer layer，Ni在白金上為磁性的dead layer，所以當Co原子層鍍上去，沒有out-of-plane方向的磁化易軸，當Co原子層數大於3層，磁化易軸為in-plane方向，與Co塊材的磁性狀態相似。而1 ML Co當buffer layer，Co在白金上造成，磁化易軸即為out-of-plane方向，繼續鍍上鐵磁性的Ni原子層，造成磁化易軸的強度增強；所以Ni-Pt與Co-Pt造成不同的鐵磁性質。Item 鈷原子團在 根號三乘根號三-銀/矽(111)面上聚集分布的研究(2004) 高執貴本文是將鈷蒸鍍在 根號三乘根號三-銀/矽(111)面上，我們利用掃描穿隧顯微儀（STM）來研究鈷在銀所產生的根號三島上聚集與分布趨勢，在不同鍍量與不同溫度下，都出現了特別的現象。 我們分別改蒸鍍了0.9、1.35、1.8、2.25 ML的鈷，發現鈷有往邊緣堆積與鏈狀排列的趨勢，原因是根號三島上有某些區域的電子密度與空域密度特別高而造成鈷聚集。 接著改變不同的溫度，將蒸鍍1.8 ML的樣品加熱處理室溫～ 400 ℃，再降回室溫掃描。經加熱處理100 ℃後，鈷原子團邊緣堆積減少，而且整個根號三島上原子團也明顯變少，推測是鈷與銀相互交換造成。再加熱處理200 ～ 400℃，鈷原子團移動漸漸趨於平衡。 我們在升溫的過程中也發現了一些比較特殊的結構，例如根號三島上有一些突起的島，計算其高度，約是鈷一個單層的高度，研判是鈷鑽入所造成的隆起。我們也發現一些規則排列的三角結構，計算其原子間距，研判不是單純鈷、銀或矽的堆積，由於鈷銀不會有化學反應，也不是鈷銀化合物的堆積，推論應該是鈷矽化合物所產生的堆積。Item 鎳超薄膜在鉑(111)基板上之表面結構及表面磁光性質研究(2003) 蘇炯武; Chiung-Wu Su本實驗是利用歐傑電子能譜術、低能量電子繞射儀、紫外光電子能譜術以及利用表面磁光科爾效應來研究鎳金屬超薄膜在鉑金屬(111)表面上的結構及磁光性質。討論的範圍首先著重在鎳超薄膜在鉑(111)表面上的磊晶成長模式、結構相圖和合金形成。我們經由歐傑電子能譜、低能量電子繞射及紫外光電子能譜的測量中發現鎳超薄膜在鉑單晶上是以2個原子層的層狀模式成長，且在磊晶的過程中我們更利用低能量電子繞射發現鎳超薄膜在鉑(111)表面上有一些有趣且特殊的結構：偽(1×1)超結構、(√3×√3)R30º、Ni(1.1×1.1)非同調性磊晶、衛星點結構以及(2×2)超結構。鎳原子發現在高溫時會擴散與鉑形成合金，當我們在進行0.8到3.0個鎳原子層熱處理時，結果發現當鎳的厚度愈高，鎳與鉑開始形成合金的溫度也就愈高。為了提高系統鎳超薄膜的膜厚準確度，我們利用兩種理論模型來計算並決定鎳超薄膜膜厚。此外，當經過高溫回火的鎳/鉑(111)表面經由離子濺射技術後亦發現表面組成大多為鉑原子所佔據，此部分確立了鎳原子與鉑原子形成合金的事實。 第二部分我們在鎳/鉑(111)表面上覆蓋銀原子層來研究鎳鉑合金形成因其所受到之影響並與未加銀原子層來做比較。結果發現，覆蓋銀原子層的鎳薄膜層必須上升到更高溫時才與鉑原子形成合金，而且銀原子層在熱處理的過程中並不擴散進入基底且都位於表面的最上層，更有趣的是我們發現在1 ML Ag/1 ML Ni/Pt(111) (ML:原子層)的樣品中經由高溫處理後形成有趣的(2×2)表面超結構，經由晶格常數計算、以及離子濺射實驗後，我們初步推斷最上層的銀原子以1/4的覆蓋率形成(2×2)超結構之後剩餘的3/4銀原子與最上層的1/4殘餘鎳原子形成Ag(75%)Ni(25%)的合金原子層，剩餘的則為鎳鉑合金層。 第三部分我們利用表面磁光科爾效應來探測鎳超薄膜在鉑(111)表面上的磁光性質。鎳超薄膜在諸多系統中都發現具有dead layer的磁性質，故當我們在磊晶過程中探測鎳薄膜的磁光訊號中發現，將近有7層覆蓋率的鎳原子在室溫裡是沒有磁性的，累積到將近24層的鎳原子測得之最大科爾旋轉角也只有0.02º，並且在熱處理的實驗當中，我們發現膜厚與系統的居禮溫度有很大的關連性，甚至極有可能低於室溫。 此外，當磁性超薄膜鎳/鉑(111)表面間加進鈷原子層後，初步發現鎳原子會有初期升溫的過程中先與鈷原子在鉑表面上混合，高溫時再擴散進入鉑基底的特性。經由深度分析的實驗，雖然證明了鎳鈷原子都會與鉑形成合金，但是我們發現鎳原子卻擴散的比鈷原子更為深層。1 ML Ni/1 ML Co/Pt(111)樣品在垂直磁光效應的測量中，也同樣發現在鎳鈷原子混合時磁光訊號有微量的增加，然而之後主要的磁光訊號大增主因來自於鈷鉑形成合金所致，科爾旋轉角在高溫回火後增加為原先的兩倍之多，當我們對於1 ML Ni/1 ML Co-Pt 合金表面進一步的研究中發現，系統的居禮溫度隨著鎳鉑原子在表面的相對組成而有強烈的變化，而且接近甚至低於室溫，在表面化學組成計算後可以初步推論，若鉑原子含量在表面層愈多、鎳原子愈少的狀況下，系統的居禮溫度就愈低。結果發現，1 ML Ni/1 ML Co-Pt 合金表面樣品在經由830 K高溫回火後所測得之系統居禮溫度為275 K，此時所對應的表面化學組成為Pt(69%)Co(29%)Ni(2%)合金層。 最後，鏡射系統1 ML Co/1 ML Ni/Pt(111)的磁光訊號測量也發現許多有趣且不同於1 ML Ni/1 ML Co/Pt(111)系統的物理現象，在升溫的過程當中發現，特定的溫度範圍對於兩種系統有著截然不同的行為，我們發現在600 K到725 K的磁光訊號變化中對於Ni/Co/Pt薄膜有一極大值，然而對於Co/Ni/Pt薄膜卻發現有一極小值。此外，Co/Ni/Pt薄膜發現具有比Ni/Co/Pt薄膜更大的的矯頑磁場，我們初步認為這些有趣的物理現象來自於表面鎳鈷鉑原子的相對組成，以及許多特定穩定合金結構的形成，所以當我們又利用紫外光電子能譜來觀看這兩種磁性超薄膜系統經過高溫熱處理後時，我們可以確定表面原子態大多來自於鉑原子，換句話說，高含量的表面鉑原子是促成系統具有相當低的居禮溫度的主因。