學位論文

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20141

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Author: search.filters.author.Hsieh, Po-ISubject: search.filters.subject.STM

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    矽在銀/矽(111)-(√3x√3)與銀/鍺(111)-(√3x√3)表面上的成長
    (2014) 謝伯宜; Hsieh, Po-I
    本實驗將矽原子蒸鍍於不同表面溫度之銀/矽(111)-(√3x√3)與銀/鍺(111)-(√3x√3)表面，並以掃描穿隧式顯微鏡(STM)觀察矽原子於兩表面的成長。在矽/銀/矽系統中，√3x√3島緣之下層發生了矽-銀交換的現象，矽原子將以Step-growth的形式自√3x√3島緣併入基底，使得上層√3x√3島面積比例上升。在矽/銀/鍺系統中，在表面上可觀察到兩種規則性結構，分別為 √3x√3島以及有序結構。√3x√3島為矽原子與下方銀原子層交換所形成之週期性島，有序結構為矽原子於表面上排列組成之單層矽結構。該有序結構依原子排列方式，可進一步區分為2x2六角結構以及矩形結構。