學位論文
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Item 矽單層在銀薄膜上的表面形貌與能譜分析(2016) 蘇泰龍; SU, Tai-Lung在文獻中得知可以在單晶金屬表面上成長矽單層結構，在本實驗中Si(111)-(7×7)表面上成長6 ML的Ag(111)薄膜取代單晶銀塊材，然後在成長矽單層結構在銀薄膜上。首先將矽基板經過Flash與熱退火的步驟製成Si(111)-(7×7)，然後降至100 K後鍍上6 ML的銀，溫度回到室溫在加熱退火至570 K，等樣品緩慢降至室溫就完成銀薄膜的製備，接著成長矽單層。 要成長矽單層，基底需要維持在500 K以上，在本實驗選擇將銀薄膜維持在550 K，鍍上1 ML的矽，就完成矽單層的製作。在此溫度製備完成的矽單層，可以用STM觀察到四種矽單層結構，分別是4×4、 、兩種 結構，除了結構上再加上STS結果，比較後發現並無差異。 因為基底並非銀塊材，所以用LEED觀察後發現Ag(1×1)會發生錯位，用STM觀察也得到相同的結果，並發現銀薄膜的錯位對矽單層的STS結果並無影響。 但當銀薄膜的厚度不同，會表現不同的特性，在6 ML的銀薄膜上鍍矽可發現矽單層，但在1 ML的銀薄膜上鍍矽卻沒有矽單層，推測鍍上去的矽與銀發生翻轉而往下埋入成為矽基板的一部分，所以6 ML的銀薄膜確實可用來代替銀塊材。