Browsing by Author "Lee, Ming-hung"

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    鐵電元件串接電晶體負電容效應及鋁摻雜鉿基氧化物暫態反應
    (2018) 周昱辰; Chou, Yu-Chen
    俱鐵電效應之鉿基氧化物於近幾年吸引相當多討論，在適當的摻雜與退火後將具有鐵電特性，可應於記憶體及鐵電負電容效應。後者於在電晶體應用，可改善次臨界擺幅 (Subthreshold Swing)以達陡峭斜率特性，將大幅降低元件操作電壓，具有低功耗元件應用價值。且鉿基氧化物本身與目前CMOS製程高相容性，於45nm後在業界已導入二氧化鉿介電層使用，故期望本論文提出之技術能夠於未來5nm以下技術節點使用。 本研究將針對不同摻雜與退火條件之鉿基氧化物，以元件應用為前提進行直流操作、快速操作的研究，以及利用串接的方式，把有鐵電特性的MFM (Matel-Ferroelectric-Matel)結構或是FeFET (Ferroelectric Field Effect Transistors)，串接在一般介電質的電晶體上，預期改善次臨界擺幅，跟Al：HfO2（FE-HAO）場效應電晶體的鐵電性並應用於負電容效應。 根據量測結果顯示，利用1530快速量測IdVg時，檔位的調整非常的重要，在限流的影響下要找到最適合的檔位。7.9%的HAO在1000℃的熱退火處理下，SS正反掃出現了SS=40 mV/dec及SS=39mV/dec，呈現了很好的物理極限，成為具有潛力的MOSFET。